上海鑫科匯信息技術(shù)有限公司是國內(nèi)專業(yè)生產(chǎn)藍(lán)寶石晶體，碳化硅單晶，單晶硅片，以及InP,ZnSe窗口，鍺窗口材料等。公司擁有自己的工廠分別位于江蘇無錫和湖北武漢，是國內(nèi)較早專業(yè)提供半導(dǎo)體晶圓的公司。
其中，單晶硅產(chǎn)品主要包括：2寸、4寸、6寸、8寸、12寸等尺寸齊全，P型、N型，晶向110,111，能夠滿足不同客戶用途的需求。科大量現(xiàn)貨供應(yīng)。部分產(chǎn)品的參數(shù)表如下：
上海鑫科匯新材料有限公司 產(chǎn)品規(guī)格書
shanghai xinkehui new material Co., Ltd Product Spec.
產(chǎn)品名稱/ Product | 4 英寸單拋硅片 | 版本 | A |
規(guī)格號(hào) /Spe. No. | JX-2019-05-13-06 | 編制日期 /Date | 2019-05-13 |
項(xiàng)目/ Exam Item | 規(guī)格/Spec. | 備注/ Remark | |
1.1 晶體參數(shù) Cryscal | |||
拉晶方式/ Growth method | CZ | / | |
晶向及偏離度/ Orientation | <100>/<110> | / | |
1.2 電學(xué)參數(shù) Electrical | |||
型號(hào) / Type | /P | / | |
摻雜劑 /Doping | /B | / | |
電阻率 Resistivity (ohm-cm) | 見硅片外包裝標(biāo)注值電阻率判定標(biāo)準(zhǔn)：中心點(diǎn) | ||
電阻率徑向變化 Resistivity variation (%) | 15% | 測(cè)試方法：國標(biāo) B方案 計(jì)算公式：(Pmax-Pmin)/Pmin | |
壽命 / Minority-Carrier Lifetime (us) | / | / | |
1.3 結(jié)構(gòu)參數(shù) Structural | |||
位錯(cuò)密度 Dislocation Density (ea/cm2) | 無 free | / | |
微缺陷 | 無 free | / | |
氧含量 Oxygen Conc. (atm/cm3) | 8.00E+17 | / | |
氧的徑向梯度 | / | / | |
碳含量 Carbon Conc. (atm/cm3) | 5.00E+16 | / | |
1.4 機(jī)械參數(shù) Mechanical | |||
直徑及公差/ Diameter (mm) | 100±0.2 | / | |
主參考面 Primary Flat | 方向 Orientation (deg) | / | |
長度 length (mm) | / | ||
副參考面 Secondary Flat | 方向 Orientation (deg) | / | |
長度 length (mm) | / | ||
倒角 Edge profile | 半角 half angle （Deg) | 22±1° | |
邊緣類型 /Type | 標(biāo)準(zhǔn)倒角 | ||
厚度 Thickness (um) | 見硅片外包裝標(biāo)注值 | / | |
彎曲度 Bow (um) | <30 | / | |
翹曲度 Warp (um) | <30 | / | |
總厚度變化 TTV (um) | <10 | / | |
總平整度 TIR (um) | <10 | / | |
局部平整度 STIR(um)(15mm*15mm) | <3 | / | |
什么是半導(dǎo)體硅片
硅片又稱硅晶圓片， 是制作集成電路的重要材料，通過對(duì)硅片進(jìn)行光刻、離子注入等手 段，可以制成集成電路和各種半導(dǎo)體器件。硅片是以硅為材料制造的片狀物體，直徑有 6英寸、 8 英寸、 12 英寸、18英寸等規(guī)格。單晶硅是硅的單晶體，是一種比較活潑的非金屬元素，具有基本完整的點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)。不同的方向具有不同的性質(zhì)，是一種良好的半導(dǎo)材料。純度要求達(dá)到 99.9999%，甚至達(dá)到 99.9999999%，雜質(zhì)的含量降到 10-9的水平。采用西門子法可以制備高純多晶硅，然后以多晶硅為原料，采用直拉法或懸浮區(qū)熔法從熔體中生長 出棒狀單晶硅。單晶硅圓片按其直徑主要分為 6 英寸、 8 英寸、 12 英寸及 18 英寸等。
半導(dǎo)體材料分為晶圓制造材料和封裝材料。晶圓制造材料可以進(jìn)一步細(xì) 分為硅片及硅基材料、光掩模板、電子氣體、光刻膠、光刻膠輔助材料、 CMP 拋光材料、工藝化學(xué)品、靶材及其他材料。而封裝材料可以進(jìn)一步 細(xì)分為封裝基板、引線框架、鍵合絲、包封材料、陶瓷基板、芯片粘結(jié) 材料和其他封裝材料。
半導(dǎo)體硅片是全球應(yīng)用最廣泛、最重要的半導(dǎo)體基礎(chǔ)材料，是制造芯片的基本襯底材料，也是唯一貫穿各道芯片前道制程的半導(dǎo)體材料，目前全球半導(dǎo)體市場(chǎng)中，90%以上的芯片和傳感器都是基于硅材料制造而成，其在晶圓制造材料中占比**。
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