首先，這三個(gè)參數(shù)越小越好，TTV，Bow，Warp越大對(duì)于半導(dǎo)體制程的負(fù)面影響越大，因此如果三者的值超過(guò)標(biāo)準(zhǔn)，硅片就要報(bào)廢。

對(duì)光刻過(guò)程的影響：

焦深問(wèn)題: 在光刻過(guò)程中，可能會(huì)導(dǎo)致焦點(diǎn)深度的變化，從而影響圖案的清晰度。

對(duì)準(zhǔn)問(wèn)題: 可能會(huì)導(dǎo)致晶圓在對(duì)準(zhǔn)過(guò)程中的偏移，進(jìn)一步影響層與層之間的對(duì)準(zhǔn)精度。

對(duì)化學(xué)機(jī)械拋光的影響：

拋光不均勻: 可能會(huì)導(dǎo)致CMP過(guò)程中的不均勻拋光，從而造成表面粗糙和殘留應(yīng)力。

對(duì)薄膜沉積的影響：

沉積不均勻: 凸凹的晶圓在沉積過(guò)程中可能會(huì)導(dǎo)致沉積薄膜厚度的不均勻。

對(duì)晶圓裝載的影響：

裝載問(wèn)題: 凸凹的晶圓可能在自動(dòng)裝載過(guò)程中導(dǎo)致晶圓損壞。

最后，作為半導(dǎo)體從業(yè)者，我們必須認(rèn)識(shí)到晶圓的面型參數(shù)對(duì)于整個(gè)制程流程的重要性，做半導(dǎo)體工藝，要注意細(xì)節(jié)。